最早的3D NAND要追溯到2007年东芝的一次发布，而真正将3D NAND商业化应用的其实是三星在2013年的发布，从2013年起，3D NAND作为最具突破性的技术开始推向市场，如今200+已经成为了3D NAND层数堆叠的常态，没有200+的水平，都不好意思说自己是3D NAND,谈不上有什么竞争优势。

从2D到3D的变化，为闪存容量提升带来新变数，从2D平房到3D楼房的演进下，层的概念成为介质进化的新标准。也是从3D NAND开始，制程工艺的演进显得并不那么重要了。

从最初的32层开始，到64层大约经过了三四年的时间，2019年前后，96层NAND开始出现，2020年进入200+层时代，从128层开始，3D NAND告别了32整数倍的演进，开始出现162、176层的差别。

高层堆叠的NAND技术推动了容量发展和闪存普及的步伐，让闪存在更多场景得到应用，在一定程度上，是3D NAND的出现拉开了闪存普及的大幕。3D NAND颗粒层数不断推高，GB/$成本势必会不断降低，缩短闪存SSD和磁盘的差价，但从市场的演进看，闪存SSD成本是在逐步降低，但是速度不如预期，究其原因，与三星、凯侠、美光等大厂对市场的把持有关，闪存颗粒并不是一个充分竞争的市场，受产能等很多因素的影响，大幅度降价未必符合厂商利益。从这个意义上，中国元素的崛起，有助于全球市场的发展。

3D NAND的堆叠技术方案有两大派系，一种是浮栅技术(Floating gate),另外一种是电荷撷取(Charge Trap)技术。如今Charge Trap技术已经成为市场的主流。

浮栅技术的上下单元之间是分离的，而电荷撷取技术上下层之间是连通的，两者都是几十层水平时，差异不大，当变为几百层之后，采用电荷撷取技术的NAND上下电荷之间会发生串扰，造成数据不可靠。而浮栅技术虽然工艺更复杂一些，但是在数据保留方面更可靠一些，浮栅技术在层数发展上更有前景。

来源：百易传媒

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